[发明专利]红外线传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种红外线传感器的制造方法，其中，该红外线传感器的制造方法包括下述工序：

在半导体基板的第1区域上形成温差电堆支撑层的工序，所述半导体基板在上表面具有有待作为传感器区域的所述第1区域和有待作为周边电路区域的第2区域；

在所述温差电堆支撑层的上表面上形成温差电堆的工序；

形成所述温差电堆的工序之后，在所述第2区域上形成电路元件的工序；

以覆盖所述第1区域和所述第2区域的方式形成上部层的工序；

在所述第1区域将所述上部层向下挖到中途的工序；

在将所述上部层向下挖到中途的区域中的一部分区域进一步将所述上部层向下挖，由此形成露出所述半导体基板的蚀刻孔的工序；以及

经过所述蚀刻孔对所述第1区域处的所述半导体基板的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和所述温差电堆从所述半导体基板悬起，由此形成传感器部的工序，

所述传感器部的上表面位于比所述第2区域中的所述上部层的上表面低的位置。

2.根据权利要求1所述的红外线传感器的制造方法，其中，

形成所述温差电堆支撑层的工序包括通过LOCOS法形成氧化膜的工序。

3.根据权利要求1或2所述的红外线传感器的制造方法，其中，

所述上部层在内部包含布线层。

4.一种红外线传感器，其中，该红外线传感器具有：

半导体基板，其在上表面具有凹部；

上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，且具有传感器开口部，所述传感器开口部是与所述凹部对应的开口部；以及

传感器部，其以与所述传感器开口部的内周面的至少一处相连的方式，在与所述凹部的内表面分开的状态下被支撑于所述传感器开口部内，

所述传感器部具有温差电堆，

在俯视观察时，在与所述传感器开口部不同的位置处设置有在所述上部层的内部形成有电路元件的周边电路区域，

所述传感器部的上表面位于比所述周边电路区域中的所述上部层的上表面低的位置。