[发明专利]双极型晶体管有效
| 申请号： | 201480008941.8 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104995724B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;黑川敦;西明恒和 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 李洋,舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够改善电容特性的线性并且能够充分地确保量产性，进一步地能够实现基极‑集电极间电容的减少的技术。在n型的各个第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)间分别设置有p型的第二半导体层(3b)、(3d)，即使不使第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)的掺杂浓度降低，也能够降低集电极层3整体表观上的掺杂浓度，所以能够改善电容特性的线性并且能够充分地确保量产性。另外，由于第二半导体层(3b)、(3e)夹在各个第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)间，所以集电极层(3)整体的平均载流子浓度减少，并且较宽地形成集电极层(3)内的耗尽层，所以能够实现基极‑集电极间电容的减少。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管，其特征在于，具备：第一导电型的子集电极层；集电极层，层叠于所述子集电极层；第二导电型的基层，层叠于所述集电极层，导电型与所述第一导电型相反；以及所述第一导电型的发射极层，层叠于所述基层，所述集电极层具备：所述第一导电型的多个第一半导体层；以及所述第二导电型的多个第二半导体层，分别设置在各个所述第一半导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
