[发明专利]双极型晶体管

权利要求书

1.一种双极型晶体管，其特征在于，具备：

第一导电型的子集电极层；

集电极层，层叠于所述子集电极层；

第二导电型的基层，层叠于所述集电极层，导电型与所述第一导电型相反；以及

所述第一导电型的发射极层，层叠于所述基层，

所述集电极层具备：

所述第一导电型的多个第一半导体层；以及

所述第二导电型的多个第二半导体层，分别设置在各个所述第一半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第二半导体层的载流子浓度比第一半导体层的载流子浓度小。

3.根据权利要求1或2所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第二半导体层的载流子层浓度的和是10⁹cm^-2以上，且比10¹¹cm^-2小。

4.根据权利要求1或2所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第一半导体层以及第二半导体层由同一半导体形成。

5.根据权利要求3所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第一半导体层以及第二半导体层由同一半导体形成。

6.根据权利要求1或2所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。

7.根据权利要求3所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。

8.根据权利要求4所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。

9.根据权利要求5所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。

10.一种双极型晶体管，其特征在于，具备：

第一导电型的子集电极层；

集电极层，层叠于所述子集电极层；

第二导电型的基层，层叠于所述集电极层，导电型与所述第一导电型相反；以及

所述第一导电型的发射极层，层叠于所述基层，

所述集电极层具备：

所述第一导电型的至少一个第一半导体层；以及

所述第二导电型的多个第二半导体层，被插入所述第一半导体层的至少一个以上的半导体中。

11.根据权利要求10所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第二半导体层的载流子浓度比第一半导体层的载流子浓度小。

12.根据权利要求10或者11所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第二半导体层的载流子层浓度的和是10⁹cm^-2以上，且比10¹¹cm^-2小。

13.根据权利要求10或者11所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第一半导体层以及第二半导体层由同一半导体形成。

14.根据权利要求12所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述第一半导体层以及第二半导体层由同一半导体形成。

15.根据权利要求10或者11所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。

16.根据权利要求12所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。

17.根据权利要求13所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。

18.根据权利要求14所述的双极型晶体管，其特征在于，

所述发射极层与所述基层形成异质结，并且所述发射极层的带隙比所述基层的带隙大。