[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明描述了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。本发明提供了包括被切道分开的多个半导体芯片的嵌入式芯片板。通过化学镀工艺形成导电层，所述导电层包括设置在切道中的总线和联接到所述半导体芯片和总线的再分配层(RDL)。在所述导电层和嵌入式芯片板的上方形成绝缘层，所述绝缘层包括设置在所述半导体芯片的占地面积的外面导电层的上方的开口。通过将所述导电层用作电镀工艺的一部分在所述绝缘层中的开口中形成互连结构。在形成所述互连结构之后经由切道切割所述嵌入式芯片板以移除所述总线并且形成单个的扇出晶片级封装。

主权项

1.一种制造多个扇出晶片级封装体(FOWLP)的方法，所述方法包括：提供由密封材料形成的包括被切道分开的多个半导体芯片的嵌入式芯片板；通过电镀工艺形成平坦的导电层，所述平坦的导电层包括：设置在所述切道中的平坦的总线，和形成在所述平坦的总线的整体的相同水平的平坦的再分配层(RDL)，所述平坦的再分配层联接到所述多个半导体芯片的每个和所述平坦的总线；在所述平坦的导电层和所述嵌入式芯片板的上方形成绝缘层，所述绝缘层包括设置在所述多个半导体芯片的每个的占地面积的外面所述平坦的导电层的上方的开口；通过将所述平坦的导电层用作电镀工艺期间的基层，在所述绝缘层中的所述开口中形成互连结构；以及在形成所述互连结构之后经由所述切道切割所述嵌入式芯片板，其中切割移除所述平坦的总线的至少一部分并且形成多个扇出晶片级封装体，其中所述多个扇出晶片级封装体的每个包括所述平坦的再分配层的一部分，该部分垂直地设置在其中一个所述多个半导体裸芯的接触垫和其中一个互连结构之间。