[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。准备碳化硅衬底(10)。形成与碳化硅衬底(10)的第一主表面(10a)相接触的第一掩模层(1)。第一掩模层(1)包括与第一主表面(10a)相接触地布置的第一层(1a)，与第一层相接触地布置的且由不同于第一层的材料制成的蚀刻停止层(1b)，和与蚀刻停止层的和接触第一层的表面相反的表面相接触地布置的第二层(1c)。通过蚀刻第二层(1c)和蚀刻停止层(1b)，在第一掩模层(1)中形成凹进部(9)。使用具有凹进部(9)的第一掩模层(1)，在碳化硅衬底(10)中形成第一杂质区(14)。第一掩模层不包含金属元素。因此，能够提供能抑制金属污染的制造碳化硅半导体器件的方法。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：准备具有彼此相反的第一主表面和第二主表面的碳化硅衬底；形成与所述碳化硅衬底的所述第一主表面相接触的第一掩模层，所述第一掩模层包括：与所述第一主表面相接触地布置的第一层，与所述第一层相接触地布置的并且由与所述第一层不同的材料制成的蚀刻停止层，以及与所述蚀刻停止层的和接触所述第一层的表面相反的表面相接触地布置的第二层；通过蚀刻所述第二层和所述蚀刻停止层，在所述第一掩模层中形成凹进部；以及使用具有所述凹进部的所述第一掩模层，在所述碳化硅衬底中形成具有第一导电类型的第一杂质区，所述第一掩模层不包含金属元素。