[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：

准备具有彼此相反的第一主表面和第二主表面的碳化硅衬底；

形成与所述碳化硅衬底的所述第一主表面相接触的第一掩模层，所述第一掩模层包括：

与所述第一主表面相接触地布置的第一层，

与所述第一层相接触地布置的并且由与所述第一层不同的材料制成的蚀刻停止层，以及

与所述蚀刻停止层的和接触所述第一层的表面相反的表面相接触地布置的第二层；

通过蚀刻所述第二层和所述蚀刻停止层，在所述第一掩模层中形成凹进部；以及

使用具有所述凹进部的所述第一掩模层，在所述碳化硅衬底中形成具有第一导电类型的第一杂质区，所述第一掩模层不包含金属元素。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

在所述碳化硅衬底的所述第二主表面上形成第二掩模层，所述第二掩模层不包含金属元素。

3.根据权利要求2所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

所述第二掩模层包括：

与所述第二主表面相接触地布置的并且由与所述第一层相同的材料制成的第三层，

与所述第三层相接触地布置的并且由与所述蚀刻停止层相同的材料制成的第四层，以及

与所述第四层的和接触所述第三层的表面相反的表面相接触地布置的并且由与所述第二层相同的材料制成的第五层。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

在不产生等离子体的情况下形成所述第一层、所述蚀刻停止层和所述第二层。

5.根据权利要求4所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

通过热化学气相沉积来形成所述蚀刻停止层和所述第二层。

6.根据权利要求5所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

通过低压热化学气相沉积来形成所述蚀刻停止层和所述第二层。

7.根据权利要求4至6中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

通过热氧化所述第一主表面的方法或者通过低压化学气相沉积，来形成所述第一层。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

由二氧化硅或者由氮化硅来制成所述第一层。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

由二氧化硅或者由氮化硅来制成所述第二层。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，其中，

由多晶硅来制成所述蚀刻停止层。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

在形成第一杂质区的所述步骤之后，移除所述第一掩模层；以及

在移除所述第一掩模层的所述步骤之后，对所述碳化硅衬底执行活化退火。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

在形成第一杂质区的所述步骤之后，在所述凹进部中形成具有开口的第三掩模层，所述开口具有小于所述凹进部的宽度；以及

使用所述第三掩模层，在所述第一杂质区中形成具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二杂质区。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的制造碳化硅半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

在形成第一杂质区的所述步骤之后，形成与所述第一层相接触的第四掩模层；以及

在所述第一层保持与所述第一主表面相接触的情况下，使用所述第四掩模层，在所述碳化硅衬底中形成具有所述第一导电类型的保护环区。