[发明专利]SRAM单元有效
| 申请号： | 201480007884.1 | 申请日： | 2014-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104969295B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | A·皮克林 | 申请（专利权）人： | 苏尔格有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/413;G11C11/417;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,李科 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种存储器单位，其包括多个存储器单元组，每个存储器单元组包括多个存储器单元，每个存储器单元通过相应的第一和第二访问晶体管可操作地连接至第一本地位线和第二本地位线，每个存储器单元与被配置为控制存储器单元的第一和第二访问晶体管的字线相关联。每个存储器单元组的第一和第二本地位线通过相应的第一和第二组访问开关可操作地连接至相应的第一和第二列位线，第一组访问开关被配置为由第二列位线控制，第二组访问开关被配置为由第一列位线控制。 | ||
| 搜索关键词： | sram 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单位，包括：a)多个存储器单元组(40)，每个存储器单元组(40)包括多个存储器单元(20)，每个存储器单元(20)通过相应的第一和第二访问晶体管(26a,26b)可操作地连接至第一本地位线(40a)和第二本地位线(40b)，每个存储器单元(20)与被配置为控制所述存储器单元的第一和第二访问晶体管(26a,26b)的字线(28)相关联；b)每个存储器单元组(40)的第一和第二本地位线(40a,40b)通过相应的第一和第二组访问开关(13a,13b)可操作地连接至相应的第一和第二列位线(11,12)，所述第一组访问开关(13a)被配置为由所述第二列位线(12)控制，所述第二组访问开关(13b)被配置为由所述第一列位线(11)控制，其中，所述第一组访问开关(13a,13b)包括具有低电压关闭状态和高电压开启状态的活动位线启动的NMOS装置，以及所述第一和第二访问晶体管(26a,26b)包括NMOS装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏尔格有限公司，未经苏尔格有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480007884.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
