[发明专利]将第一金属层沉积在非导电聚合物上的方法在审

专利信息
申请号: 201480007838.1 申请日: 2014-01-15
公开(公告)号: CN104995335A 公开(公告)日: 2015-10-21
发明(设计)人: 莱奥纳斯·纳鲁斯克维丘什;米科拉斯·巴拉瑙斯卡斯;洛雷塔·塔马绍斯凯特塔马休奈特;奥纳·吉列内 申请(专利权)人: 埃托特克德国有限公司
主分类号: C23C18/22 分类号: C23C18/22;C23C18/30;C23C18/32
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王潜;郭国清
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及蚀刻、活化以及第一金属或金属合金层在非导电聚合物上的沉积。用在60-80体积-%硫酸中包含0.75-3.6g/l高锰酸根离子的水性溶液蚀刻所述非导电聚合物,用包含贵金属的溶液活化,并通过浸入式或化学(自催化)镀沉积第一金属或金属合金。获得的第一金属或金属合金层对非导电聚合物具有高的粘附性并用作镀敷基底以用于在其上电镀另外的一个或多个金属和/或金属合金层。
搜索关键词: 第一 金属 沉积 导电 聚合物 方法
【主权项】:
一种将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法,所述方法以此顺序包括如下步骤:(i)提供非导电聚合物,(ii)使所述非导电聚合物与在60至80体积‑%硫酸中包含0.75至3.6g/l高锰酸根离子的蚀刻溶液接触,(iii)使经过蚀刻的非导电聚合物与包含贵金属的活化剂溶液接触,以及(iv)通过湿化学法将第一金属或金属合金层沉积在经过活化的非导电聚合物上。
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