[发明专利]将第一金属层沉积在非导电聚合物上的方法

权利要求书

1.一种将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，所述方法以此顺序包括如下步骤：

(i)提供非导电聚合物，

(ii)使所述非导电聚合物与在60至80体积-％硫酸中包含0.75至3.6g/l高锰酸根离子的蚀刻溶液接触，

(iii)使经过蚀刻的非导电聚合物与包含贵金属的活化剂溶液接触，以及

(iv)通过湿化学法将第一金属或金属合金层沉积在经过活化的非导电聚合物上。

2.根据权利要求1所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述非导电聚合物选自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物-聚碳酸酯掺合物、聚酰胺和环氧树脂。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述蚀刻溶液的温度在10至40℃范围内。

4.所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述高锰酸根离子的来源选自碱金属和碱土金属的高锰酸盐。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述高锰酸根离子的来源选自高锰酸钠和高锰酸钾。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述蚀刻溶液还包含磷酸。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中用磷酸将所述蚀刻溶液的密度调节至1.70至1.82g/ml的范围。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述贵金属选自银、金、钌、铑、钯、锇、铱、铂及其混合物。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述活化剂溶液是包含钯离子的水性溶液。

10.根据权利要求9所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述钯离子的浓度在10至500mg/l的范围内。

11.根据权利要求1至8中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述活化剂溶液是包含胶体钯的水性溶液。

12.根据权利要求11所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述胶体钯的浓度在50至500mg/l的范围内。

13.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中通过化学(自催化)镀或浸入式镀沉积第一金属层。

14.根据前述权利要求中的任一项所述的将第一金属或金属合金层沉积在非导电聚合物上的方法，其中所述第一金属或金属合金层选自铜、镍和镍合金。