[发明专利]CIGS膜的制法以及使用其的CIGS太阳能电池的制法无效
| 申请号： | 201480006652.4 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104981913A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 西井洸人;渡边太一;寺地诚喜;河村和典;峯元高志;贾卡潘·柴塔那;村田雅 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/18;C01B19/04;C23C14/06;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为了提供能够以低成本、再现性良好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法以及包括其的CIGS太阳能电池的制法，使CIGS膜的制法具有：层叠工序，将包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B)以固相状态在超过250℃且400℃以下的加热状态下依次层叠在基板上；以及加热工序，对层叠有上述层(A)和层(B)的层叠体进一步加热，使上述层(B)的铜和硒的化合物熔融呈液相状态，由此使上述层(B)中的铜扩散到上述层(A)中，使晶体生长，从而得到CIGS膜。 | ||
| 搜索关键词： | cigs 制法 以及 使用 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种CIGS膜的制法，其特征在于，其是用作CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜的制法，其具有下述工序：层叠工序，将包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B)以固相状态在超过250℃且400℃以下的加热状态下依次层叠在基板上；以及加热工序，对层叠有所述层(A)和层(B)的层叠体进一步加热，使所述层(B)熔融呈液相状态，由此使所述层(B)中的铜扩散到所述层(A)中，使晶体生长，从而得到CIGS膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480006652.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
