[发明专利]CIGS膜的制法以及使用其的CIGS太阳能电池的制法无效
| 申请号： | 201480006652.4 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104981913A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 西井洸人;渡边太一;寺地诚喜;河村和典;峯元高志;贾卡潘·柴塔那;村田雅 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/18;C01B19/04;C23C14/06;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cigs 制法 以及 使用 太阳能电池 | ||
1.一种CIGS膜的制法，其特征在于，其是用作CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜的制法，其具有下述工序：层叠工序，将包含铟、镓和硒的层(A)以及包含铜和硒的层(B)以固相状态在超过250℃且400℃以下的加热状态下依次层叠在基板上；以及加热工序，对层叠有所述层(A)和层(B)的层叠体进一步加热，使所述层(B)熔融呈液相状态，由此使所述层(B)中的铜扩散到所述层(A)中，使晶体生长，从而得到CIGS膜。
2.根据权利要求1所述的CIGS膜的制法，其中，使所述加热工序在520℃以上的温度下进行。
3.根据权利要求1或2所述的CIGS膜的制法，其中，从所述层叠工序的温度向所述加热工序的温度的升温以升温速度10℃/秒以上进行。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的CIGS膜的制法，其中，在所述加热工序中，供给硒蒸汽或硒化氢来维持CIGS膜表面的硒分压高于内部的硒分压的状态。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的CIGS膜的制法，其中，所述加热工序结束时的CIGS膜在满足0.95＜铜/(铟+镓)＜1.30的摩尔比并且维持所述加热工序时的温度的状态下，对通过所述加热工序得到的CIGS膜进一步蒸镀铟、镓和硒，由此使所述CIGS膜满足0.70＜铜/(铟+镓)＜0.95的摩尔比。
6.一种CIGS太阳能电池的制法，其特征在于，其具有在基板上设置背面电极层的工序、设置包含CIGS膜的光吸收层的工序、设置缓冲层的工序、以及设置透明导电层的工序，其中，在设置所述光吸收层的工序中，使用权利要求1所述的CIGS膜的制法来形成包含CIGS膜的光吸收层。
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