[发明专利]具有光伏直立物的三维超颖材料装置无效
| 申请号: | 201480006293.2 | 申请日: | 2014-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN105144406A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
| 发明(设计)人: | M·斯克勒德;R·史密斯 | 申请(专利权)人: | Q1奈米系统公司 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林彦 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 各种实施例的系统、方法及装置提供由光伏直立物阵列组成的光伏电池。所述光伏直立物可经个别配置且可处在阵列中以具有高光子吸收概率。所述高光子吸收概率可导致高光能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | 有光 直立 三维 材料 装置 | ||
【主权项】:
一种光伏电池,其包括:光伏直立物的阵列,其中每一光伏直立物包括:芯体,其具有芯体半径rc;吸收层,其定位在所述芯体上方且具有第一径向厚度dabs;以及外导电层,其定位在所述吸收层上方,所述外导电层具有第二径向厚度docl及折射率nocl,其中每一直立物经配置使得:![]()
其中,namb为围绕所述直立物的周围材料的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





