[发明专利]具有光伏直立物的三维超颖材料装置

权利要求书

1.一种光伏电池，其包括：

光伏直立物的阵列，其中每一光伏直立物包括：

芯体，其具有芯体半径r_c；

吸收层，其定位在所述芯体上方且具有第一径向厚度d_abs；以及

外导电层，其定位在所述吸收层上方，所述外导电层具有第二径向厚度d_ocl及折射率n_ocl，

其中每一直立物经配置使得：

nocl*rcnamb*(rc+dabs+docl)≤1]]>

其中，n_amb为围绕所述直立物的周围材料的折射率。

2.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第二径向厚度d_ocl小于所述第一径向厚度d_abs。

3.根据权利要求2所述的光伏电池，其中所述第二径向厚度d_ocl为所述第一径向厚度d_abs的近似三分之二。

4.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第一径向厚度d_abs为50微米或更小。

5.根据权利要求4所述的光伏电池，其中所述第一径向厚度d_abs大于或等于0.1微米。

6.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述吸收层包括：

p型区域；以及

n型区域，且

其中包含所述p型区域及所述n型区域的所述整个吸收层被完全耗尽。

7.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述吸收层包括：

所述芯体上方的p型半导体子层；以及

所述p型半导体子层上方的n型半导体子层，且

其中包含所述p型半导体子层及所述n型半导体子层的所述整个吸收层被完全耗尽。

8.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述吸收层包括：

所述芯体上的n型半导体子层；以及

所述n型半导体子层上的p型半导体子层，且

其中包含所述n型半导体子层及所述p型半导体子层的所述整个吸收层被完全耗尽。

9.根据权利要求1所述的光伏电池，其中吸收层折射率n_abs大于所述外导电层折射率n_ocl。

10.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述光伏直立物的高度大于或等于1微米。

11.根据权利要求10所述的光伏电池，其中所述光伏直立物的所述高度小于或等于100微米。

12.根据权利要求1所述的光伏直立物，其中所述吸收层由选自硅、非晶硅、多晶硅、单晶硅、碲化镉、砷化镓、砷化铝镓、硫化镉、硒化铜铟及硒化铜铟镓的群组的半导体材料制成。

13.根据权利要求1所述的光伏直立物，其中所述外导电层由氧化锌、氧化铟锡、氧化镉锡及氧化钛中的一或多者制成。

14.根据权利要求1所述的光伏直立物，其中所述外导电层包括透明导电氮化物。