[发明专利]通过透射穿过衬底的中红外激光的热加工有效
| 申请号： | 201480004685.5 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105051859B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·P·霍尔特;海因里希·恩德特 | 申请（专利权）人： | IPG光子公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过中红外激光穿过衬底的透射来执行热加工，所述衬底例如具有有限中红外透射范围的半导体衬底。激光由稀土掺杂的光纤激光器产生，并且引导穿过衬底，使得透射的功率能够改变位于衬底背侧区域的目标材料，所述位于衬底背侧区域例如在衬底上或与衬底分隔开。衬底可以足够透明，以允许透射的中红外激光在不改变衬底材料的情况下改变目标材料。在一个示例中，稀土掺杂的光纤激光器是高平均功率铥光纤激光器，所述激光器按照连续波(CW)模式并且在2μm光谱区中操作。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 透射 穿过 衬底 红外 激光 热加工 | ||
【主权项】：
一种通过中红外激光透射的热加工方法，所述方法包括：从稀土掺杂的光纤激光器产生光谱范围是1300到5000nm的连续波(CW)或时间调制的连续波(CW)激光；以及引导所述激光穿过半导体衬底，所述半导体衬底对于光谱范围是1300到5000nm的激光是有限透明的，使得透射过半导体衬底的激光具有能够改变位于所述半导体衬底背侧区域的目标材料的透射功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
