[发明专利]通过透射穿过衬底的中红外激光的热加工有效
| 申请号： | 201480004685.5 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105051859B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·P·霍尔特;海因里希·恩德特 | 申请（专利权）人： | IPG光子公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 透射 穿过 衬底 红外 激光 热加工 | ||
1.一种通过中红外激光透射的热加工方法，所述方法包括：
从稀土掺杂的光纤激光器产生光谱范围是1300到5000nm的连续波(CW)或时间调制的连续波(CW)激光；以及
引导所述激光穿过半导体衬底，所述半导体衬底对于光谱范围是1300到5000nm的激光是有限透明的，使得透射过半导体衬底的激光具有能够改变位于所述半导体衬底背侧区域的目标材料的透射功率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光在1700到5000nm的光谱范围内产生。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光在2μm的光谱区域中产生。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述稀土掺杂的光纤激光器是铥光纤激光器。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述稀土掺杂的光纤激光器是1940nm铥光纤激光器。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底具有有限的中红外透射范围。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底是砷化镓GaAs衬底。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述透射功率是由所述稀土掺杂的光纤激光器产生的激光输入功率的至少大约50％。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述透射功率是由所述稀土掺杂的光纤激光器产生的激光输入功率的至少大约80％。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标材料沉积在所述半导体衬底背侧区域处的半导体衬底上。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标材料在所述半导体衬底的背侧区域处与所述半导体衬底间隔开。
12.根据权利要求1所述的方法，其中改变所述材料包括按从以下选择的方式对所述材料进行热改变：烧蚀、退火和熔化。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光在不改变所述半导体衬底材料的情况下改变所述目标材料。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底是砷化镓GaAs衬底，并且其中改变背侧区域上的材料包括烧蚀位于所述GaAs衬底背侧的锗衬底。
15.根据权利要求1所述的方法，其中引导所述激光包括聚集所述激光。
16.根据权利要求1所述的方法，其中引导所述激光包括扫描所述激光以对所述背侧区域的材料进行划线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
