[发明专利]纳米孔阵列有效

专利信息
申请号: 201480003939.1 申请日: 2014-01-28
公开(公告)号: CN104903715B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: R.J.A.陈;D.J.富拉加 申请(专利权)人: 吉尼亚科技公司
主分类号: G01N27/447 分类号: G01N27/447
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;胡莉莉
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种使用包括被包括在芯片上的多个单元的纳米孔阵列来分析分子的方法。引起在所述多个单元的至少一部分中形成纳米孔。评估纳米孔的第一物理测量结果。确定是否引起分子与纳米孔相互作用。引起纳米孔的至少一部分与分子相互作用。评估指示分子性质的纳米孔的第二物理测量结果。确定是否引起重新形成纳米孔,使得单元可重新使用以与附加分子相互作用。
搜索关键词: 纳米孔 分子相互作用 物理测量结果 纳米孔阵列 分子性质 评估指示 芯片 评估 分析
【主权项】:
1.一种使用包括被包括在芯片上的多个单元的纳米孔阵列来分析分子的方法,包括:引起在所述多个单元的至少一部分的每个中形成一个纳米孔;在所述多个单元的每个中,由电路感测第一电测量结果;并且至少部分地基于感测的第一电测量结果来由处理器确定至少阈值数目的单元的每个中的一个纳米孔的形成,其中阈值数目的单元包括多个单元的一部分,并且如果至少阈值数目的单元的每个中的一个纳米孔的形成在固定的时段内未被确定,则终止该方法,并且如果至少阈值数目的单元的每个中的一个纳米孔的形成在固定时段内被确定,则开始引起分子与形成的纳米孔相互作用,其包括:禁用已被确定为不具有一个已形成纳米孔的单元包括禁止禁用单元的每个汲取电流到特定的禁用单元;引起分子与未被禁用的单元中的已形成的纳米孔相互作用;在已被确定为具有一个已形成的纳米孔的单元的每个中:由电路感测第二电测量结果,并且至少部分地基于第二电测量结果来确定分子的性质;以及确定是否开始引起纳米孔被重新形成,使得具有重新形成纳米孔的单元可以被重新使用以与附加分子相互作用。
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