[发明专利]纳米孔阵列有效

专利信息
申请号: 201480003939.1 申请日: 2014-01-28
公开(公告)号: CN104903715B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: R.J.A.陈;D.J.富拉加 申请(专利权)人: 吉尼亚科技公司
主分类号: G01N27/447 分类号: G01N27/447
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;胡莉莉
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 纳米孔 分子相互作用 物理测量结果 纳米孔阵列 分子性质 评估指示 芯片 评估 分析
【权利要求书】:

1.一种使用包括被包括在芯片上的多个单元的纳米孔阵列来分析分子的方法,包括:

引起在所述多个单元的至少一部分的每个中形成一个纳米孔;

在所述多个单元的每个中,由电路感测第一电测量结果;并且

至少部分地基于感测的第一电测量结果来由处理器确定至少阈值数目的单元的每个中的一个纳米孔的形成,其中阈值数目的单元包括多个单元的一部分,并且如果至少阈值数目的单元的每个中的一个纳米孔的形成在固定的时段内未被确定,则终止该方法,并且如果至少阈值数目的单元的每个中的一个纳米孔的形成在固定时段内被确定,则开始引起分子与形成的纳米孔相互作用,其包括:

禁用已被确定为不具有一个已形成纳米孔的单元包括禁止禁用单元的每个汲取电流到特定的禁用单元;

引起分子与未被禁用的单元中的已形成的纳米孔相互作用;

在已被确定为具有一个已形成的纳米孔的单元的每个中:由电路感测第二电测量结果,并且至少部分地基于第二电测量结果来确定分子的性质;以及

确定是否开始引起纳米孔被重新形成,使得具有重新形成纳米孔的单元可以被重新使用以与附加分子相互作用。

2.权利要求1的方法,其中,引起分子与未被禁用的单元中的已形成的纳米孔相互作用包括从主控制器向芯片发送信号。

3.权利要求1的方法,其中,引起在所述多个单元的至少一部分中的每个中形成一个纳米孔包括:

引起形成脂双层;

在多个单元的每个中由电路感测第三电测量结果;以及

确定是否开始引起形成纳米孔,其中,在脂双层的至少一部分中形成纳米孔。

4.权利要求3的方法,其中,引起形成脂双层包括引起在多个单元内沉积脂双层形成试剂。

5.权利要求3的方法,其中,确定是否开始引起形成纳米孔包括至少部分地基于感测的第三电测量结果来由处理器确定至少第二阈值数目的单元的每个中的一个脂双层的形成。

6.权利要求1的方法,还包括确定用于每个单元的状态。

7.权利要求6的方法,其中,用于每个单元的状态包括以下各项中的一个:未形成脂双层、形成脂双层、以及形成纳米孔。

8.权利要求6的方法,其中,用于每个单元的状态的确定至少部分地基于从纳米孔阵列接收的测量结果。

9.权利要求1的方法,还包括:

确定特定单元发生故障;以及

引起禁用该单元且至少某些其它单元保持被启用。

10.权利要求1的方法,还包括引起向第一组单元施加第一激励并引起向第二组单元施加第二激励。

11.权利要求1的方法,其中,引起形成一个纳米孔包括引起在多个单元内沉积纳米孔形成试剂。

12.权利要求1的方法,其中,引起分子与已形成的纳米孔相互作用包括引起在多个单元内沉积分子。

13.权利要求1的方法,其中,引起重新形成纳米孔包括引起将一个或多个单元中的内含物从单元冲掉。

14.权利要求1的方法,其中,引起重新形成纳米孔包括引起冲洗一个或多个单元。

15.权利要求1的方法,还包括引起单元中的感兴趣的任何内含物的检测。

16.权利要求15的方法,还包括引起从单元提取检测到的感兴趣内含物。

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