[发明专利]气相蚀刻装置有效
申请号: | 201480003839.9 | 申请日: | 2014-02-11 |
公开(公告)号: | CN104995723B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 朴永雨;朴用城;金东烈 | 申请(专利权)人: | 国际电气高丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 姜燕,王卫忠 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种气相蚀刻装置。根据本发明一实施例的气相蚀刻装置包括处理腔室,其设置有内部空间,所述内部空间由上侧开放的腔室主体和与腔室主体的上侧能够装卸地结合,并且下侧开放的圆顶形状的上部圆顶形成;基板支撑座,其设置在内部空间,利用驱动部向上向下移动;环板,其设置在基板支撑座上,覆盖基板支撑座和处理腔室的外壁之间,以使内部空间划分为基板支撑座的上部的处理区域和基板支撑座的下部的排气区域;由环板划分的处理区域被上部圆顶包围,排气区域被腔室主体包围。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
一种气相蚀刻装置,其特征在于,包括:处理腔室,设置有内部空间,所述内部空间由上侧开放的腔室主体和与所述腔室主体的上侧能够装卸地结合且下侧开放的圆顶形状的上部圆顶形成,基板支撑座,设置在所述内部空间内,利用驱动部向上向下移动,环板,设置在所述基板支撑座上,覆盖所述基板支撑座和所述处理腔室的外壁之间,以使所述内部空间划分为所述基板支撑座的上部的处理区域和所述基板支撑座的下部的排气区域;由所述环板划分出的所述处理区域被所述上部圆顶包围,所述排气区域被所述腔室主体包围,所述处理腔室还包括:基板出入部,设置在所述腔室主体的一侧,用于提供将基板向所述处理腔室的内部空间导入和导出的通道;所述环板还包括:盖部,从所述环板的边缘部向垂直方向延伸,与所述基板支撑座的向上向下移动动作联动而开闭所述通道,以将所述基板出入部的所述通道划分为与所述处理腔室的内部空间相对独立的空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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