[发明专利]气相蚀刻装置有效
| 申请号: | 201480003839.9 | 申请日: | 2014-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN104995723B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
| 发明(设计)人: | 朴永雨;朴用城;金东烈 | 申请(专利权)人: | 国际电气高丽株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 姜燕,王卫忠 |
| 地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
1.一种气相蚀刻装置,其特征在于,包括:
处理腔室,设置有内部空间,所述内部空间由上侧开放的腔室主体和与所述腔室主体的上侧能够装卸地结合且下侧开放的圆顶形状的上部圆顶形成,
基板支撑座,设置在所述内部空间内,利用驱动部向上向下移动,
环板,设置在所述基板支撑座上,覆盖所述基板支撑座和所述处理腔室的外壁之间,以使所述内部空间划分为所述基板支撑座的上部的处理区域和所述基板支撑座的下部的排气区域;
由所述环板划分出的所述处理区域被所述上部圆顶包围,所述排气区域被所述腔室主体包围,
所述处理腔室还包括:
基板出入部,设置在所述腔室主体的一侧,用于提供将基板向所述处理腔室的内部空间导入和导出的通道;
所述环板还包括:
盖部,从所述环板的边缘部向垂直方向延伸,与所述基板支撑座的向上向下移动动作联动而开闭所述通道,以将所述基板出入部的所述通道划分为与所述处理腔室的内部空间相对独立的空间。
2.根据权利要求1所述的气相蚀刻装置,其特征在于,还包括:
气体喷射部,与所述基板支撑座相对地设置在所述上部圆顶上,从气体供给装置接受反应性气体的供给并向所述处理区域供给。
3.根据权利要求2所述的气相蚀刻装置,其特征在于,
所述气体喷射部包括:
圆形气体导入板,由石英材料构成,在所述圆形气体导入板的上部中央连接有气体供给管,使反应性气体向下侧扩散;
淋板,由石英材料构成,与所述圆形气体导入板的下侧结合,多个喷射孔垂直贯通所述淋板,使经由所述圆形气体导入板供给到的反应性气体向下方喷射。
4.根据权利要求1或3所述的气相蚀刻装置,其特征在于,
所述环板包括多个排气孔。
5.根据权利要求1或3所述的气相蚀刻装置,其特征在于,
所述上部圆顶由石英材料构成。
6.根据权利要求1或3所述的气相蚀刻装置,其特征在于,
所述基板支撑座、所述环板和包围所述处理区域的所述上部圆顶由石英材料构成。
7.根据权利要求1或3所述的气相蚀刻装置,其特征在于,
所述气相蚀刻装置还包括:
净化气体供给部,用于向所述基板出入部的通道供给惰性气体;
所述基板出入部包括:
气体供给孔,将经由所述净化气体供给部供给到的惰性气体向所述通道供给。
8.根据权利要求1所述的气相蚀刻装置,其特征在于,
所述腔室主体由哈氏合金材料构成,对表面进行电解研磨处理或复合电解研磨处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





