[实用新型]一种高压发光二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种高压发光二极管芯片，属于半导体领域。所述高压发光二极管芯片包括基板、外延层和透明导电层。在外延层上设置至少一条隔离槽，每条隔离槽包括第一和二隔离槽，第一和二隔离槽均从外延层延伸至基板，第二隔离槽的宽度小于第一隔离槽，第一隔离槽的宽度为20-40μm，第二隔离槽的宽度为5-10μm，第一隔离槽内设有绝缘层，电气连接结构铺设在第一隔离槽内的绝缘层之上，且电气连接结构将相邻的两个子芯片连接。本实用新型通过第一隔离槽设计较宽，方便绝缘层和电气连接结构铺设，第二隔离槽较窄，占用芯片发光区面积较少，从而使芯片发光区面积最大化，提升芯片光效，高压芯片的子芯片越多，本实用新型越有效果。

主权项

一种高压发光二极管芯片，所述高压发光二极管芯片包括基板、外延层和透明导电层，所述外延层包括依次生长在所述基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明导电层生长在所述第二半导体层上，在所述芯片上设有第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述透明导电层上，其特征在于，在所述外延层上设有至少一条隔离槽，所述隔离槽将所述芯片隔离成多个子芯片，每条所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽与所述第二隔离槽相连接，且所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均从所述第二半导体层延伸至所述基板，所述第二隔离槽的宽度小于所述第一隔离槽的宽度，所述第一隔离槽的宽度为20‑40μm，所述第二隔离槽的宽度为5‑10μm，所述第一隔离槽内设有绝缘层和电气连接结构，所述电气连接结构铺设在所述第一隔离槽内的所述绝缘层之上，且所述电气连接结构将相邻的两个所述子芯片连接，所述第二电极设于所述第一隔离槽的所述第一半导体层上。