[实用新型]一种高压发光二极管芯片

权利要求书

1.一种高压发光二极管芯片，所述高压发光二极管芯片包括基板、外延层和透明导电层，所述外延层包括依次生长在所述基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明导电层生长在所述第二半导体层上，在所述芯片上设有第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述透明导电层上，其特征在于，

在所述外延层上设有至少一条隔离槽，所述隔离槽将所述芯片隔离成多个子芯片，每条所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽与所述第二隔离槽相连接，且所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均从所述第二半导体层延伸至所述基板，所述第二隔离槽的宽度小于所述第一隔离槽的宽度，所述第一隔离槽的宽度为20-40μm，所述第二隔离槽的宽度为5-10μm，

所述第一隔离槽内设有绝缘层和电气连接结构，所述电气连接结构铺设在所述第一隔离槽内的所述绝缘层之上，且所述电气连接结构将相邻的两个所述子芯片连接，所述第二电极设于所述第一隔离槽的所述第一半导体层上。

2.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第一隔离槽的宽度为28～35μm。

3.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第一隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为40～50度。

4.根据权利要求3所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第一隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为45度。

5.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第二隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为75～85度。

6.根据权利要求5所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第二隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为80度。

7.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述子芯片至少为2个。

8.根据权利要求7所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，当所述高压发光二极管芯片的电压为6V时，所述子芯片为2个，当所述高压发光二极管芯片的电压为9V时，所述子芯片为3个。

9.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，相邻的两个所述子芯片其中的一个所述子芯片的透明导电层通过所述电气连接结构与另一个所述子芯片的第一半导体层连接。

10.根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，相邻的两个所述子芯片中的透明导电层通过所述电气连接结构连接，且相邻的两个所述子芯片中的第一半导体层通过所述电气连接结构连接。