[实用新型]一种LED芯片结构

摘要

本实用新型公开一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；透明绝缘层的端面上具有第一型电极和第二型电极；第一型电极和第二型电极分别通过第一电极连接层和第二电极连接层经该透明绝缘层上设置的第一通孔和第二通孔连接该第一电极延伸层和该第二电极延伸层；本实用新型优化了电极的设置，降低了芯片工作电压，增大了芯片有效发光面积，提高了芯片的发光效率。

主权项

一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，其特征在于：该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；在该透明绝缘层上具有第一通孔和第二通孔，该第一通孔位于该暴露区之透明绝缘层中且连通至该第一电极延伸层，第二通孔连通至该第二电极延伸层；在该透明绝缘层远离第二型半导体层的端面上具有第一型电极和第二型电极；该第一通孔中设有第一电极连接层，第一电极连接层连接该第一型电极延伸层与该第一型电极；该第二通孔中设有第二电极连接层，第二电极连接层连接该第二电极延伸层与该第二型电极。