[实用新型]一种LED芯片结构有效
| 申请号： | 201420793847.5 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN204257700U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 吴哲雄;呂瞻暘;曾晓强;林聪辉;刘建科;白梅英 | 申请（专利权）人： | 晶宇光电(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/36 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 | ||
1.一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，其特征在于：该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；
该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；
该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；
该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；
在该透明绝缘层上具有第一通孔和第二通孔，该第一通孔位于该暴露区之透明绝缘层中且连通至该第一电极延伸层，第二通孔连通至该第二电极延伸层；
在该透明绝缘层远离第二型半导体层的端面上具有第一型电极和第二型电极；
该第一通孔中设有第一电极连接层，第一电极连接层连接该第一型电极延伸层与该第一型电极；该第二通孔中设有第二电极连接层，第二电极连接层连接该第二电极延伸层与该第二型电极。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一型半导体层为N型半导体层，该第二型半导体层为P型半导体层。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第二型半导体层与该透明绝缘层之间具有一透明电流扩散层，该第二电极延伸层连接在透明电流扩散层上。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一型电极下方之该透明绝缘层中及/或该第二型电极下方之该透明绝缘层中具有一反射层。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一通孔至少有两个及/或该第二通孔至少有两个。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一电极延伸层及/或该第二电极延伸层上视为圆形、长条形或环形。
7.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一电极延伸层与该第二电极延伸层上视为交错排列。
8.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一电极延伸层上视为环绕该第二电极延伸层或该第二电极延伸层上视为环绕该第一电极延伸层。
9.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该透明绝缘层的厚度大于1.2um。
10.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一型电极和该第二型电极的高度大致相同。
11.根据权利要求1所述的一种LED芯片结构，其特征在于：该第一型电极及/或该第二型电极包括一打线部及一延伸部。
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