[实用新型]PECVD镀膜用防绕镀台阶框有效
| 申请号： | 201420788733.1 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN204417589U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 鲁科;乔琦;陆红艳;黄海涛;陈如龙 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种PECVD镀膜用防绕镀台阶框，包括用于承载硅片的载板边框，所述载板边框面向硅片的侧壁上设有台阶，硅片放置于载板边框的台阶上，台阶的内侧延伸部托住硅片，使得载板边框与硅片边缘间没有连通硅片上方和下方的缝隙。进一步地，载板边框可采用碳纤维材料。本实用新型能够有效阻止等离子体绕镀至硅片正面边缘，使得太阳能电池生产中硅片镀膜不存在饶镀现象，提高了产品的良率。本实用新型的优点在于：1）作为太阳能电池生产的配套工装之一，其结构设计简单实用，解决了生产中面临的技术问题。2）使得PECVD镀膜的良品率大大提高。3）相较于原先的挂钩，不容易对硅片背面造成损坏，更加安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 镀膜 用防绕镀 台阶 | ||
【主权项】：
一种PECVD镀膜用防绕镀台阶框，包括用于承载硅片(1)的载板边框(2)，其特征在于：所述载板边框(2)面向硅片(1)的侧壁上设有台阶(201)，硅片(1)放置于载板边框(2)的台阶(201)上，台阶(201)的内侧延伸部托住硅片(1)，使得载板边框(2)与硅片(1)边缘间没有连通硅片上方和下方的缝隙。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
