[实用新型]一种用臭氧预处理的晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201420733803.3 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN204230252U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 郭强;王立建 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用臭氧预处理的晶硅太阳能电池,包括用于支撑的晶硅基体,晶硅基体包覆在氧化硅薄膜内;沉积在晶硅基体上方氧化硅薄膜上表面的氮化硅减反射膜;栅线分布在晶硅基体上方的正电极,正电极的下端依次穿过氮化硅减反射膜及氧化硅薄膜,并与晶硅基体的上表面接触;附着于晶硅基体下方氧化硅薄膜下表面的铝背场;本实用新型钝化效果好、反射率极低、抗电位诱导衰减性能良好,使用寿命长,光电转化率高,制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 臭氧 预处理 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种用臭氧预处理的晶硅太阳能电池,其特征在于,包括:用于支撑的晶硅基体(1),所述晶硅基体(1)包覆在氧化硅薄膜(3)内;沉积在所述晶硅基体(1)上方氧化硅薄膜(3)上表面的氮化硅减反射膜(2);栅线分布在所述晶硅基体(1)上方的正电极(5),所述正电极(5)的下端依次穿过氮化硅减反射膜(2)及氧化硅薄膜(3),并与所述晶硅基体(1)的上表面接触;附着于所述晶硅基体(1)下方氧化硅薄膜(3)下表面的铝背场(4)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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