[实用新型]一种用臭氧预处理的晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201420733803.3 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN204230252U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 郭强;王立建 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 臭氧 预处理 太阳能电池 | ||
1.一种用臭氧预处理的晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：
用于支撑的晶硅基体（1），所述晶硅基体（1）包覆在氧化硅薄膜（3）内；
沉积在所述晶硅基体（1）上方氧化硅薄膜（3）上表面的氮化硅减反射膜（2）；
栅线分布在所述晶硅基体（1）上方的正电极（5），所述正电极（5）的下端依次穿过氮化硅减反射膜（2）及氧化硅薄膜（3），并与所述晶硅基体（1）的上表面接触；
附着于所述晶硅基体（1）下方氧化硅薄膜（3）下表面的铝背场（4）。
2.根据权利要求1所述用臭氧预处理的晶硅太阳能电池，其特征在于：包覆在所述晶硅基体（1）上表面的氧化硅薄膜（3）的厚度为10-30mm，折射率为1.4-1.7。
3.根据权利要求1所述用臭氧预处理的晶硅太阳能电池，其特征在于：包覆在所述晶硅基体（1）下表面的氧化硅薄膜（3）的厚度为5-15mm，折射率为1.4-1.7。
4.根据权利要求1所述用臭氧预处理的晶硅太阳能电池，其特征在于：包覆在所述晶硅基体（1）侧面的氧化硅薄膜（3）的厚度为10-20mm，折射率为1.4-1.7。
5.根据权利要求1所述用臭氧预处理的晶硅太阳能电池，其特征在于：所述晶硅基体（1）由两片通过非扩散面贴合在一起的硅片组成。
6.根据权利要求1所述用臭氧预处理的晶硅太阳能电池，其特征在于：所述的铝背场（4）为铝浆烧结层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
