[实用新型]一种低温多晶硅薄膜的制备装置有效
| 申请号： | 201420647812.0 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN204332909U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 朱兴华;杨定宇;孙辉 | 申请（专利权）人： | 杨定宇 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610225 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低温多晶硅薄膜的制备装置，该装置基于铜管绕制的平面螺旋线圈在高频射频电源激励下感应耦合产生高密度的等离子体，提高了多晶硅薄膜沉积中反应活性基团的浓度和能量，可在小于350℃的基片温度下高速沉积多晶硅薄膜，最大样品尺寸可达140mm×140mm。同时，本装置的感应线圈通过石英窗与反应区分离，可避免等离子体高能离子基团对电极的轰击损伤，降低制备材料中的金属污染。此外，在圆柱形反应室外排布环形磁铁阵列对等离子体进行磁约束，提高等离子体均匀性，可用于大面积均匀硅基功能薄膜与器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 制备 装置 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制备装置，该装置采用电感耦合放电方式分解源气体产生反应活性基团，活性基团吸附到基片表面进而合成多晶硅薄膜，其特征是：感应线圈通过介质窗口与等离子体区隔开，并在反应室外排布环形磁铁阵列以提供磁约束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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