[实用新型]一种低温多晶硅薄膜的制备装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备装置，该装置采用电感耦合放电方式分解源气体产生反应活性基团，活性基团吸附到基片表面进而合成多晶硅薄膜，其特征是：感应线圈通过介质窗口与等离子体区隔开，并在反应室外排布环形磁铁阵列以提供磁约束。

2.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征是：反应源气体采用高纯H₂稀释的浓度为10％的二氯硅烷，通过高纯H₂的进一步稀释，其浓度可在0％～10％间变化。

3.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征是：基片与可调压的直流偏压源连接，基片与电感线圈距离可在60～100mm之间调节，基片生长温度在350℃以下。

4.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征是：感应线圈为二维的平面螺旋结构，线圈直径200mm，放置于外径为300mm的真空室中，但通过厚度为3mm的石英窗与等离子体区隔开。

5.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征是：感应线圈由外径为6mm的紫铜管绕制3周而成，铜管管壁厚1mm，铜管内部无需加装绝缘套管直接通水冷却。

6.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征是：在与等离子体区相同高度的真空室外壁上排布环形磁铁阵列，每隔45°放置一块磁铁，共8个磁铁构成。

7.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征是：环形磁铁阵列由弧形磁铁片组成，其厚度为5mm，左右半扇区分别为N极和S极，外弧长20mm，外弧长对真空室的中心张角为7.6°，与真空室外壁精密贴合。