[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201420613861.2 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN204204896U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 郭德博;徐正毅 | 申请（专利权）人： | 北京中科天顺信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102206 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种发光二极管，包括：支撑衬底；非掺杂层，设置在支撑衬底上；N型半导体层，设置在非掺杂层上；量子阱发光层，设置在N型半导体层上；P型半导体层，设置在量子阱发光层上；开槽，从P型半导体层表面延伸到N型半导体层的表面或延伸进N型半导体层中；N型电极，设置于开槽内，与N型半导体层接触；P型电极，设置于P型半导体层上；以及用于增加发光二极管侧面表面积的结构，设置在支撑衬底、非掺杂层以及N型半导体层组成的叠层的四个侧壁中至少一个侧壁上。本实用新型由于采用了上述结构，在侧壁上提供了一种增加侧壁出光概率的结构，有效提高了发光二极管的光提取效率，从而能够提高发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：支撑衬底；非掺杂层，设置在所述支撑衬底上；N型半导体层，设置在所述非掺杂层上；量子阱发光层，设置在所述N型半导体层上；P型半导体层，设置在所述量子阱发光层上；开槽，从所述P型半导体层表面延伸到所述N型半导体层的表面或延伸进所述N型半导体层中；N型电极，设置于所述开槽内，与所述N型半导体层接触；P型电极，设置于所述P型半导体层上；以及用于增加所述发光二极管侧面表面积的结构，设置在所述支撑衬底、所述非掺杂层以及所述N型半导体层组成的叠层的四个侧壁中至少一个侧壁上。
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