[实用新型]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

支撑衬底；

非掺杂层，设置在所述支撑衬底上；

N型半导体层，设置在所述非掺杂层上；

量子阱发光层，设置在所述N型半导体层上；

P型半导体层，设置在所述量子阱发光层上；

开槽，从所述P型半导体层表面延伸到所述N型半导体层的表面或延伸进所述N型半导体层中；

N型电极，设置于所述开槽内，与所述N型半导体层接触；

P型电极，设置于所述P型半导体层上；以及

用于增加所述发光二极管侧面表面积的结构，设置在所述支撑衬底、所述非掺杂层以及所述N型半导体层组成的叠层的四个侧壁中至少一个侧壁上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述结构设置在所述叠层的四个侧壁上。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述结构的侧壁呈波浪形、凸圆弧形、凹圆弧形或者锯齿形。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述结构为彼此独立的结构或者连为一体的结构。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述结构的形状呈周期性或者非周期性变化。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述结构的尺寸为3-50μm。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述支撑衬底是透明的。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述透明支撑衬底由蓝宝石、碳化硅、氧化锌、磷化镓、玻璃或石英形成。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型电极由Al、Ag、Ti、Cr、Ni、W、TiW、Ta、TaN、Ni、Ti、Cr、Au、Cu等一种或多种金属构成。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层由氮化物或者砷化物形成。