[实用新型]一种新型上蜡机加热装置有效
| 申请号： | 201420596590.4 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN204118046U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 易德福;吴城 | 申请（专利权）人： | 易德福 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 100000 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型上蜡机加热装置，包括陶瓷盘，所述陶瓷盘上设置有可在三维空间移动的加热盘，所述加热盘直径大于晶片直径，所述陶瓷盘上方还设置有可在三维空间移动的真空吸盘，所述真空吸盘内设置有加热装置，所述加热盘的加热范围可以完整的覆盖一个晶片，相比于现有技术中整体加热，本新型更加节约能源，降低热量损失，提高热量利用率；所述真空吸盘内设置的加热装置，用于加热晶片，由于晶片非常薄，加热时间极短，陶瓷盘和晶片双向受热，节省加热时间，且贴片完成后即可移走晶片，不需冷却时间，不需保温动作，贴片完成即可移走晶片，省去保温动作和冷却时间，提高设备生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 上蜡 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种新型上蜡机加热装置，其特征在于，包括陶瓷盘，所述陶瓷盘上设置有可在三维空间移动的加热盘，所述加热盘直径大于晶片直径，所述陶瓷盘上方还设置有可在三维空间移动的真空吸盘，所述真空吸盘内设置有加热装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
