[实用新型]一种新型上蜡机加热装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型上蜡机加热装置，属于半导体晶片上蜡领域。

背景技术

目前半导体行业晶片上蜡工艺多采用陶瓷盘全盘加热方式，工艺中所用陶瓷盘较厚，晶片上蜡时也仅在陶瓷盘外围一圈贴片，如图1所示，便于晶片8转移，陶瓷盘7中心一圈部位空白，晶片8上蜡贴片之前，将蜡放置于陶瓷盘7上，采用整体的加热系统6将陶瓷盘7底部预热到一定温度，约80～100℃，当陶瓷盘上部表面的蜡融化之后，底部的加热系统6为保温状态，将晶片8置于陶瓷盘6上部，贴片上蜡完成取走晶片即可。

此方法不仅预热晶片上蜡贴片的部位，也将预热陶瓷盘上无晶片上蜡贴片的部位，浪费能源；而且由于陶瓷盘底部受热快，上部受热慢，预热完成需继续进行保温，需消耗大量的能源，同时由于贴片过程中为保温状态，上蜡完成后需将晶片冷却很长时间，才能进行下一步操作，降低了设备生产效率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为克服上述问题，提供一种快速加热、冷却晶片上蜡贴片的新型上蜡机加热装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种新型上蜡机加热装置，包括陶瓷盘，所述陶瓷盘上设置有可在三维空间移动的加热盘，所述加热盘直径大于晶片直径，所述陶瓷盘上方还设置有可在三维空间移动的真空吸盘，所述真空吸盘内设置有加热装置。

优选地，所述加热盘与第一机械臂连接，所述真空吸盘与第二机械臂连接。

优选地，所述加热装置为电阻丝。

优选地，所述真空吸盘通过真空管与真空泵连通。

本实用新型的有益效果是：本实用新型结构简单，所述加热盘的加热范围可以完整的覆盖晶片，相比于现有技术中整体加热，本新型更加节约能源，降低热量损失，提高热量利用率；所述陶瓷盘上方还设置有可在三维空间移动的真空吸盘，所述真空吸盘内设置有加热装置，加工时真空吸盘吸取晶片，放置于陶瓷盘上被加热盘加热后的位置，真空吸盘内附有加热装置，用于加热晶片，由于晶片非常薄，加热时间极短，陶瓷盘和晶片双向受热，节省加热时间，且贴片完成后即可移走晶片，不需冷却时间，不需保温动作，贴片完成即可移走晶片，省去保温动作和冷却时间，提高设备生产效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是现有技术中的加热装置的结构图；

图2是本实用新型一个实施例的主视图；

图3是本实用新型所述加热盘的仰视图。

图中标记：1-陶瓷盘，2-加热盘，3-真空吸盘，4-真空管，5-晶片。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图2所示的本实用新型所述一种新型上蜡机加热装置，包括陶瓷盘1，陶瓷盘1上用于放置被加工的晶片5，所述陶瓷盘1上设置有可在三维空间移动的加热盘2，所述加热盘2可采用一些现有的XYZ轴移动平台、机械臂或其他常规的三维移动装置实现，所述加热盘2直径大于晶片5直径，晶片5在现有技术为固定的几种规格，其尺寸大小为现有的公知技术，优选的加热盘2比晶片5的直径大1cm；所述加热盘2的加热范围可以完整的覆盖晶片5，晶片5上蜡前，将加热盘2移动到将要贴片部位的上方，启动开关加热陶瓷盘1；陶瓷盘1加热到一定温度，约80～100℃后转动陶瓷盘1，加热盘2继续加热下一晶片5贴片点，同时在加热过的地方放置晶片5，相比于现有技术中整体加热，本新型更加节约能源，降低热量损失，提高热量利用率，提高生产效率。

所述陶瓷盘1上方还设置有可在三维空间移动的真空吸盘3，所述真空吸盘3可采用一些现有的XYZ轴移动平台、机械臂或其他常规的三维移动装置实现，如图3所示，所述真空吸盘3内设置有加热装置，加工时真空吸盘3吸取晶片5，放置于陶瓷盘1上被加热盘2加热后的位置，真空吸盘3内附有加热装置，用于加热晶片5，由于晶片5非常薄，加热时间极短，陶瓷盘1和晶片5双向受热，节省加热时间，且贴片完成后即可移走晶片5，不需冷却时间，不需保温动作，贴片完成即可移走晶片5，省去保温动作和冷却时间，提高设备生产效率。

在优选地实施例中，所述加热盘2与第一机械臂(图中未显示)连接，所述真空吸盘3与第二机械臂(图中未显示)连接，所述第一机械臂和第二机械臂采用常规技术，具体可根据需要进行设置。

在优选地实施例中，所述加热装置为电阻丝，但不限于电阻丝，还可以为其他选择。