[实用新型]一种垂直结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201420588391.9 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204144302U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种垂直结构的LED芯片，LED芯片包括衬底；位于衬底上方的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及P电极；位于衬底下方的N电极层，所述衬底上贯穿设置有若干通孔，所述通孔的孔径为20-100um，N电极层和N型半导体层通过所述通孔电性导通。本实用新型LED芯片衬底上设置有通孔，能够使电流扩散更加均匀，减少了电流拥堵；ODR结构能够提高芯片的光取出效率；结构简单，能够有效增大发光面积，且芯片热阻低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种垂直结构的LED芯片，包括衬底；位于衬底上方的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及P电极；位于衬底下方的N电极层，其特征在于，所述衬底上贯穿设置有若干通孔，所述通孔的孔径为20‑100um，N电极层和N型半导体层通过所述通孔电性导通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技（苏州）有限公司，未经聚灿光电科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420588391.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种悬浇箱梁三角托架扣件连接结构
- 下一篇：一种管片预埋件定位压紧组合装置
