[实用新型]一种垂直结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201420588391.9 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204144302U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直结构的LED芯片，包括衬底；位于衬底上方的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及P电极；位于衬底下方的N电极层，其特征在于，所述衬底上贯穿设置有若干通孔，所述通孔的孔径为20-100um，N电极层和N型半导体层通过所述通孔电性导通。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极层和衬底之间包括分布式布拉格反射层，所述分布式布拉格反射层中与衬底对应设置有若干通孔，所述分布式布拉格反射层与N电极层形成ODR结构。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极层下方包括电极保护层。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层上包括透明导电层，P型半导体层和透明导电层之间在位于P电极下方区域设有电流阻挡层。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上包括SiO2保护层。
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