[实用新型]一种新型双栅极沟槽MOS单元有效
| 申请号： | 201420585804.8 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204088328U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王金 | 申请（专利权）人： | 王金 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种新型双栅极沟槽MOS单元，其中，双栅极沟槽MOS单元包括第一栅极及其第一栅极绝缘层，其中，所述第一栅极绝缘层为氮化硅层。采用上述方案，本实用新型采用氮化硅层隔离氧气，有利于防止氧化，并且简化工艺流程，降低缺陷，提升良率，具有很高的市场应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 栅极 沟槽 mos 单元 | ||
【主权项】：
一种新型双栅极沟槽MOS单元，其包括第一栅极及其第一栅极绝缘层，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为氮化硅层。
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