[实用新型]一种新型双栅极沟槽MOS单元有效
| 申请号： | 201420585804.8 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204088328U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王金 | 申请（专利权）人： | 王金 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 栅极 沟槽 mos 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型双栅极沟槽MOS单元，其包括第一栅极及其第一栅极绝缘层，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为氮化硅层。
2.根据权利要求1所述双栅极沟槽MOS单元，其特征在于，所述氮化硅层淀积在第一栅极氧化层上。
3.根据权利要求2所述双栅极沟槽MOS单元，其特征在于，所述氮化硅层包裹设置所述第一栅极。
4.根据权利要求3所述双栅极沟槽MOS单元，其特征在于，所述第一栅极与第二栅极之间设置栅极间绝缘氧化层。
5.根据权利要求4所述双栅极沟槽MOS单元，其特征在于，所述第一栅极小于所述第二栅极。
6.根据权利要求1所述双栅极沟槽MOS单元，其特征在于，所述第一栅极与第二栅极之间设置选择栅极、控制栅极。
7.根据权利要求1所述双栅极沟槽MOS单元，其特征在于，双栅极沟槽MOS单元还包括一个半导体静态随机存取存储器单元。
8.根据权利要求1所述双栅极沟槽MOS单元，其特征在于，双栅极沟槽MOS单元还包括极有源区、栅极有源区、以及漏极有源区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王金，未经王金许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420585804.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蜂窝状电动汽车电池包安装架
- 下一篇：一种研磨镜片用的带槽夹具
- 同类专利
- 专利分类
