[实用新型]一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置有效
| 申请号: | 201420578291.8 | 申请日: | 2014-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN204257598U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
| 发明(设计)人: | 李振;马洪艳;张少飞;王刚;张雪囡;王彦君 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00 |
| 代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 杨慧玲 |
| 地址: | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,属于半导体材料清洗设备领域,包括操作室、上料台和下料台,上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置,操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置,酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QDR氮气保护装置,QDR氮气保护装置对在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间转移的多晶棒进行氮气保护。本实用新型能够完成直径140-160mm多晶棒料的自动清洗过程,节省了人力,稳定了产品洗后的质量;适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除,使多晶棒料表面无污染,提高硅多晶质量和成晶率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 直径 区熔用 多晶 清洗 装置 | ||
【主权项】:
一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台,其特征在于:所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置,所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗,所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置,其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间,另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间,所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QDR氮气保护装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





