[实用新型]一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置有效
| 申请号： | 201420578291.8 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204257598U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李振;马洪艳;张少飞;王刚;张雪囡;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 杨慧玲 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直径 区熔用 多晶 清洗 装置 | ||
1.一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台，其特征在于：所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗，所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间，所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QDR氮气保护装置。
2.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述预清洗装置为一水槽，所述水槽的底部设有若干个滚轴，所述水槽的顶部内边缘设有高压水喷头。
3.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述酸腐蚀槽的底部是由一排滚轴组成。
4.据权利要求1或3所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述酸腐蚀槽的材料为PT或PVC材质。
5.根据权利要求4所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述酸腐蚀槽的侧壁上连接一自动补酸装置，所述自动补酸装置可对酸腐蚀槽中的混合酸溶液进行补给和替换。
6.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述QDR氮气保护装置为若干个氮气喷头，所述氮气喷头设置在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间。
7.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述烘干装置为热风烘干机。
8.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述操作室的后端设有一风淋窗口，所述下料台位于风淋窗口的正下方。
9.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述物料转移装置为机械臂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
