[实用新型]一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构有效
| 申请号： | 201420532621.X | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN204130546U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘文辉 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/417 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构，包括N+型衬底，位于N+型衬底上的N型外延层，以及位于N型外延层上的元胞；N型外延层的表面上包括栅电极以及位于栅电极外侧的源电极；所述的源电极包括源极N型掺杂区域与源极P型掺杂区域，源极N型掺杂区域为阵列排布的梯形结构，梯形结构单元之间的引线作为电极的引出端。本实用新型将常规结构中源极N型掺杂区域的光刻板结构从条形改为梯形，使得不再需要因为电极隔离而保留比较宽的源电极N型掺杂区域，通过源极N型掺杂区域梯形结构之间的引线作为电极的引出端，减小了元胞的尺寸，提高了单位面积的元胞数量，从而提高了单位面积的电流密度，减小了VDMOS器件的封装尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单位 面积 电流密度 vdmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构，其特征在于：包括N+型衬底(110)，位于N+型衬底(110)上的N型外延层(120)，以及位于N型外延层(120)上的元胞；N型外延层(120)的表面上包括栅电极(130)以及位于栅电极(130)外侧的源电极(150)；所述的源电极(150)包括源极N型掺杂区域(170)与源极P型掺杂区域(180)，源极N型掺杂区域(170)为阵列排布的梯形结构，梯形结构单元之间的引线作为电极的引出端。
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