[实用新型]一种改善镀膜均匀性的假片有效
| 申请号： | 201420515132.3 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN204144229U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 宋晓良;姚晓波 | 申请（专利权）人： | 太仓海润太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 刘燕娇 |
| 地址： | 215434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善镀膜均匀性的假片，包括假片主体，所述假片主体为方形结构，其边缘呈倒三角形；本实用新型通过采用倒三角形缘边的假片有利于接触卡点，假片卡在钩点内，与钩点形成良好接触，且在烘舟时不会在钩点内槽镀上氮化硅，有效地保护了石墨舟卡点，防止卡点镀膜产生接触电阻，出现镀膜不均匀的现象，有效避免出现钩点烧焦现象的发生，增加工艺卡点寿命，使得电池片镀膜效果更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 镀膜 均匀 | ||
【主权项】：
一种改善镀膜均匀性的假片，其特征在于：包括假片主体，所述假片主体为方形结构，其边缘呈倒三角形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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