[实用新型]一种改善镀膜均匀性的假片有效
申请号: | 201420515132.3 | 申请日: | 2014-09-09 |
公开(公告)号: | CN204144229U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 宋晓良;姚晓波 | 申请(专利权)人: | 太仓海润太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 镀膜 均匀 | ||
技术领域
本实用新型属于石墨舟镀膜领域,具体涉及一种改善镀膜均匀性的假片。
背景技术
在晶体硅太阳能电池片镀膜工序时,需要对承载物石墨舟进行预饱和,即所谓的石墨舟烘舟,降低电池片返工率。
目前,烘舟时未防止硅片的位置舟片上沉积SIN膜,石墨舟物理性质下降,导致石墨舟寿命减短,使用时失败片增多,现多采用原料硅片作为假片,但在烘舟过程中由于钩点有一定的电阻,造成钩点异常会出现钩点烧焦现象,且硅片镀舟后翘曲大,抗形变能力差,清洗后形变难以恢复,且再次使用时极易造成碎片,导致镀舟失败,不能持续利用,使得制作成本增大。
故需要一种新的技术方案以解决上述问题。
实用新型内容
实用新型目的:针对上述现有技术存在的问题和不足,本实用新型的目的是提供了一种改善镀膜均匀性的假片,通过采用石墨假片,能够有效解决假片抗形变能力差等问题。
技术方案:本实用新型公开了一种改善镀膜均匀性的假片,包括假片主体,所述假片主体为方形结构,其边缘呈倒三角形;
本实用新型通过采用倒三角形缘边的假片有利于接触卡点,假片卡在钩点内,与钩点形成良好接触,且在烘舟时不会在钩点内槽镀上氮化硅,有效地保护了石墨舟卡点,防止卡点镀膜产生接触电阻,出现镀膜不均匀的现象,有效避免出现钩点烧焦现象的发生,增加工艺卡点寿命,使得电池片镀膜效果更佳。
作为本实用新型的进一步优化,本实用新型所述的假片主体的材质为石墨材质。石墨具有高强度耐高温的特性,抗形变能力强,不易碎,本实用新型采用石墨假片不会出现假片镀舟后翘曲大,抗形变能力差,清洗后形变难以恢复,且再次使用时极易造成碎片,导致镀舟失败等情况。
作为本实用新型的进一步优化,本实用新型所述的假片主体厚度为0.1mm-2mm。优选厚度为2mm,保证了假片的机械硬度。
有益效果:本实用新型与现有技术相比,其优点为:本实用新型通过在石墨舟镀舟时使用石墨假片,有效提高镀舟效果和镀膜均匀性,降低多晶镀膜返工率,且石墨假片使用寿命长,抗形变能力强,可持续反复使用,节约成本,本实用新 型结构简单,容易实现,具有良好的经济效益。
附图说明
图1为本实用新型与石墨钩点接触的结构示意图;
图2为使用本实用新型与不使用假片的镀舟新上线失败片数量对比折线图。
具体实施方式
下面结合附图进一步阐明本实用新型。
如图1所示,本实用新型采用石墨假片1,该石墨假片1的边缘呈倒三角形,有利于接触钩点2,假片1卡在钩点2内,与钩点2形成良好接触,且在烘舟时不会在钩点2内槽镀上氮化硅,有效地保护了石墨舟钩点2,防止钩点2镀膜产生接触电阻,出现镀膜不均匀的现象,有效避免出现钩点2烧焦现象的发生,增加工艺钩点寿命,使得电池片镀膜效果更佳。
石墨舟在使用前需要经过漫长的预处理过程,其目的是为了在工艺运行过程中,石墨舟其他部位与硅片沉积速率一致,防止出现对氮化硅的“吸收”作用,减少石墨舟本身对氮化硅的吸附,同时得到的石墨舟的导电性能和硅片的导电性能基本无差别,本实用新型使用石墨假片镀舟,能够有效的遮挡硅片与石墨舟接触的位置,且该位置无需镀上氮化硅。
本实用新型的假片厚度0.1mm-2mm,能够较好的保证假片的机械硬度,防止变形和损坏。
如表1所示,镀舟采用石墨假片1的失败片数量与不使用假片的失败片数量相比,使用石墨假片1在前期镀膜均匀性上具有明显优势,能很好地解决新上线石墨舟出现失败片多,工艺调整时间长等问题,且使用石墨假片的失败片片数稳定。
表1 为镀舟时不使用假片和使用石墨假片的新上线失败片数量对比
镀舟采用石墨假片操作程序会增多,但使用石墨假片的石墨舟预处理时间缩短,故整体流程耗时不会增长,其具体工艺对比如表2:
表2
使用石墨假片在预处理时间上缩短了2000s,本实用新型的石墨假片在使用2次后需用浓度为10%的氢氟酸溶液浸泡10小时,并用水清洗1小时并烘干1小时再行使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造