[实用新型]大功率MOS器件有效
| 申请号： | 201420348573.9 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN203950807U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 崔永明;张干;王作义;彭彪 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 大功率MOS器件，所述栅极呈方波形状，源极和漏极分别位于栅极两侧，并与栅极对应一侧的外缘形状配合；所述外延层上还具有第一注入区，所述第一注入区位于源极外侧，第二注入区位于第一注入区和源极之间设置有第二注入区，所述第二注入区的注入类型与外延层相同，且注入浓度大于外延层，第一注入区的注入类型与外延层相反，所述栅极与第一注入区通过金属连线连接，栅极与第一注入区之间的金属连线与栅极的连接处位于方波形状栅极靠近源极的顶部。本实用新型改善了静电泄放时器件开启协调性，提高了静电泄放能力，同时形成连接在栅极和外延层之间的二极管，为静电泄放提供了导通通路，提高了驱动级功率MOS的防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
大功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极（3），栅极与硅片本体之间具有栅氧绝缘层（7），位于栅氧绝缘层下方两侧的源极（1）和漏极（2），及位于源极和漏极周围及下方的外延层（4）；其特征在于，所述栅极呈方波形状，源极（1）和漏极（2）分别位于栅极（3）两侧，并与栅极对应一侧的外缘形状配合；所述外延层（4）上还具有第一注入区，所述第一注入区（5）位于源极外侧，第二注入区位于第一注入区和源极之间设置有第二注入区（6），所述第二注入区（6）的注入类型与外延层相同，且注入浓度大于外延层（4），第一注入区的注入类型与外延层（4）相反，所述栅极（3）与第一注入区（5）通过金属连线连接，栅极（3）与第一注入区（5）之间的金属连线与栅极的连接处位于方波形状栅极靠近源极的顶部。
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