[实用新型]大功率MOS器件有效
| 申请号： | 201420348573.9 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN203950807U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 崔永明;张干;王作义;彭彪 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 mos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.大功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极（3），栅极与硅片本体之间具有栅氧绝缘层（7），位于栅氧绝缘层下方两侧的源极（1）和漏极（2），及位于源极和漏极周围及下方的外延层（4）；
其特征在于，所述栅极呈方波形状，源极（1）和漏极（2）分别位于栅极（3）两侧，并与栅极对应一侧的外缘形状配合；所述外延层（4）上还具有第一注入区，所述第一注入区（5）位于源极外侧，第二注入区位于第一注入区和源极之间设置有第二注入区（6），所述第二注入区（6）的注入类型与外延层相同，且注入浓度大于外延层（4），第一注入区的注入类型与外延层（4）相反，所述栅极（3）与第一注入区（5）通过金属连线连接，栅极（3）与第一注入区（5）之间的金属连线与栅极的连接处位于方波形状栅极靠近源极的顶部。
2.如权利要求1所述的大功率MOS器件，其特征在于，所述栅极（3）的头尾两端具有连接孔，通过连接孔与金属连线连接。
3.如权利要求1所述的大功率MOS器件，其特征在于，所述第二注入区（6）和第一注入区（5）紧邻。
4.如权利要求1所述的大功率MOS器件，其特征在于，外延层上设置的所述第二注入区（6）包围源极（1）和漏极（2）形成环状。
5.如权利要求1所述的大功率MOS器件，其特征在于，所述栅极为多晶硅，所述栅氧绝缘层（7）为二氧化硅。
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