[实用新型]离子注入设备有效
| 申请号： | 201420347226.4 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN203932014U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 洪俊华;沈培俊 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种离子注入设备，其包括真空制程腔，以及：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片，该承载框架与水平面平行；位于晶片背面一侧的至少一个离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，该承载框架用于承载晶片经过该离子注入装置的离子束的作用区域。在该离子注入装置中，采用了具有中空部的承载框架，使得离子束可以从晶片背面注入至晶片中，防止了灰尘颗粒物附着于晶片上，保证了掺杂质量。而且，掩膜可以和承载框架集成，由此在晶片背面形成局部掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
一种离子注入设备，其包括真空制程腔，其特征在于，该离子注入设备还包括：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片，该承载框架与水平面平行；位于晶片背面一侧的至少一个离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，该承载框架用于承载晶片经过该离子注入装置的离子束的作用区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海凯世通半导体有限公司，未经上海凯世通半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420347226.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：搪塑模全自动浸泡设备
- 下一篇：一种橡胶物料残酸喷淋清洗装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
