[实用新型]离子注入设备

权利要求书

1.一种离子注入设备，其包括真空制程腔，其特征在于，该离子注入设备还包括：

在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片，该承载框架与水平面平行；

位于晶片背面一侧的至少一个离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，

该承载框架用于承载晶片经过该离子注入装置的离子束的作用区域。

2.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，该承载框架包括掩膜部，该掩膜部连接该框架部且遮挡部分该中空部，该掩膜部用于阻挡部分自晶片背面注入的离子以在晶片背面形成局部掺杂。

3.如权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，该掩膜部与该框架部一体成型。

4.如权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，该掩膜部为掩膜板，该掩膜板与该边框部是可拆卸连接的。

5.如权利要求4所述的离子注入设备，其特征在于，该可拆卸连接为插接，或者，

该框架部具有用于供该掩膜板搁置的凸缘。

6.如权利要求5所述的离子注入设备，其特征在于，该掩膜板的边缘设置有插片，该框架部具有用于供该插片插入的插槽，

或者，该框架部具有插片，该掩膜板的边缘设置有用于供该插片插入的插槽。

7.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，该边框部包括用于支撑晶片边缘的凸缘。

8.如权利要求7所述的离子注入设备，其特征在于，该边框部的与该凸缘相连的面为斜面。

9.如权利要求1-6中任意一项所述的离子注入设备，其特征在于，该离子束为带状的离子束，该离子束所在平面与该承载框架的运动方向垂直。

10.如权利要求1-6中任意一项所述的离子注入设备，其特征在于，该离子注入装置为所注入的离子的掺杂类型与晶片的本底掺杂类型一致的离子注入装置。