[实用新型]外延生长用晶片载盘有效

专利信息
申请号: 201420331828.0 申请日: 2014-06-20
公开(公告)号: CN203947179U 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 徐志军;谢祥彬;刘兆;吴洪浩;程伟;周宏敏;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟 申请(专利权)人: 安徽三安光电有限公司
主分类号: C30B25/12 分类号: C30B25/12
代理公司: 代理人:
地址: 241000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开一种晶片载盘,该晶片载盘包括若干个设置在载盘下方的突出部,用于储存受热过程中的热量,减缓制程中气流流动造成的温度变化,调节载盘的整体温度均匀,使得处于盘面的晶片生长温度一致,改善晶片的波长均匀性;且可以充分利用载盘表面边缘的空间,用以容纳更多晶片,增加资源的利用率,增加产能。
搜索关键词: 外延 生长 晶片
【主权项】:
外延生长用晶片载盘,包括置于载盘正面的围绕载盘中心排列的若干个凹槽,用于容纳晶片衬底,其特征在于:所述凹槽的背面设置有突出部,所述突出部用于储存受热过程中的热量,减缓制程中气流流动造成的晶片载盘表面温度变化,调节载盘的整体温度均匀。
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