[实用新型]外延生长用晶片载盘有效
申请号: | 201420331828.0 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN203947179U | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 徐志军;谢祥彬;刘兆;吴洪浩;程伟;周宏敏;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | C30B25/12 | 分类号: | C30B25/12 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延 生长 晶片 | ||
1.外延生长用晶片载盘,包括置于载盘正面的围绕载盘中心排列的若干个凹槽,用于容纳晶片衬底,其特征在于:所述凹槽的背面设置有突出部,所述突出部用于储存受热过程中的热量,减缓制程中气流流动造成的晶片载盘表面温度变化,调节载盘的整体温度均匀。
2.根据权利要求1所述的外延生长用晶片载盘,其特征在于:所述突出部为以载盘中心为圆心的同心圆结构,且所述突出部位于远离圆心的位置。
3.根据权利要求1所述的外延生长用晶片载盘,其特征在于:所述突出部的构成材质与晶片载盘相同,为载盘的组成部分。
4.根据权利要求1所述的外延生长用晶片载盘,其特征在于:所述突出部为厚度均匀的环状结构。
5.根据权利要求1所述的外延生长用晶片载盘,其特征在于:所述突出部为沿圆心至边缘方向厚度逐渐增加的环状结构。
6.根据权利要求1所述的外延生长用晶片载盘,其特征在于:所述突出部的厚度H范围为0.1mm~4mm。
7.根据权利要求1所述的外延生长用晶片载盘,其特征在于:所述晶片载盘的直径D1与突出部外径D2及突出部内径D3的关系为:0≤D1-D2≤20mm;0≤D2-D3≤100mm。
8.根据权利要求1所述的外延生长用晶片载盘,其特征在于:所述突出部截面为矩形或梯形或扇形。
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