[实用新型]背钝化层结构及背钝化P型太阳能电池有效
申请号: | 201420319817.0 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN203910818U | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 陈璐;吴翔;倪玉凤;张婷;钱俊;董鹏;高鹏;宋志成 | 申请(专利权)人: | 中电投西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种背钝化层结构,该结构采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构,由于TiO2薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得,具体可通过将硅片放置在加热基板上,将钛酸丁酯均匀喷涂在硅片上面,钛酸丁酯经高温分解而形成TiO2薄膜;因此其制备非常简单,不需要复杂的制备设备。与目前制备SiN薄膜的PECVD真空镀膜设备相比较,其设备占地空间小、设备结构简单、价格便宜。因而为常规产线进行背钝化电池改造提供了可能。同时,还公开了一种背钝化P型太阳能电池,该电池采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构。 | ||
搜索关键词: | 钝化 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种背钝化层结构,其特征在于,包括:Al2O3薄膜,沉积在P型硅片的背面上;TiO2薄膜,覆盖在所述Al2O3薄膜上;其中,所述TiO2薄膜的厚度为50‑200纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的