[实用新型]背钝化层结构及背钝化P型太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种背钝化层结构及背钝化P型太阳能电池。

背景技术

太阳能电池是一种通过光伏效应将太阳能转化为电能的半导体器件，其作为一种新能源材料越来越受到人们的关注。

提高光电转化效率和降低生产成本是当今太阳能电池研究的两个主要方面。影响太阳能电池光电转化效率的因素很多，但这些因素都可归结为太阳光子的利用率和表面复合情况。

提高太阳光的利用率可通过减少光的反射来实现：光线照射到电池正表面，一部分光在硅片表面被反射掉，另外的部分可透射进入硅片内部，为了充分利用太阳光，可在硅片表面形成绒面和增加减反射膜，以减少光线在硅片表面的反射损失。进入硅片内部的光子在传播过程中不断被吸收，但还有相当一部分到达了硅片的基底及背表面，而这些地方的高复合速率是影响太阳能电池效率的主要因素。因此，背钝化的研究显得十分重要。

由于传统的常规电池转换效率目前已经很难提高，背钝化电池技术作为高效太阳能电池技术的一种正在被越来越多的厂家所使用。

目前传统的背钝化层结构通常包括：Al₂O₃薄膜层以及覆盖在Al₂O₃薄膜层上的SiN薄膜层。

然而背钝化电池的制备需要在常规电池生产线的基础上进行改造，需在原有设备的基础上增加制备背钝化层结构的新的工艺设备。而传统生产线在进行背钝化电池生产线改造时普遍面临原有厂房内部无空间容纳新增工艺设备，改造费用过高的问题。尤其是传统背钝化层结构中的SiN薄膜层需要PECVD真空镀膜设备，而PECVD真空镀膜设备占用的空间大，费用也非常昂贵。

因此，有必要对现有的背钝化层结构进行改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种背钝化层结构及背钝化P型太阳能电池，以简化背钝化电池的生产线。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种背钝化层结构，包括：

Al₂O₃薄膜，沉积在P型硅片的背面上；

TiO₂薄膜，覆盖在所述Al₂O₃薄膜上；

其中，所述TiO₂薄膜的厚度为50-200纳米。

较佳地，所述Al₂O₃薄膜的厚度为5-30纳米。

为了实现上述目的，本实用新型还提供一种背钝化P型太阳能电池，该背钝化P型太阳能电池包括背钝化层结构，其中，所述背钝化层结构具体包括：

Al₂O₃薄膜，沉积在P型硅片的背面上；

TiO₂薄膜，覆盖在所述Al₂O₃薄膜上；

其中，所述TiO₂薄膜的厚度为50-200纳米。

较佳地，所述Al₂O₃薄膜的厚度为5-30纳米。

其中，Al₂O₃薄膜层主要起钝化作用，TiO₂薄膜层主要用于保护Al₂O₃薄膜层在后续的工艺过程中不被破坏，保护Al₂O₃薄膜层对硅片背面的钝化效果。

与现有技术相比，本实用新型采用Al₂O₃薄膜+TiO₂薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构，由于TiO₂薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可通过将硅片放置在加热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在硅片上面，钛酸丁酯经高温分解而形成TiO₂薄膜；因此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。与目前制备SiN薄膜的PECVD真空镀膜设备相比较，其设备占地空间小、设备结构简单、价格便宜。因而为常规产线进行背钝化电池改造提供了可能。

附图说明

图1为本实用新型一实施例提供的背钝化层结构的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例提供的背钝化P型太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式