[实用新型]一种半导体二极管的新型结构有效
| 申请号： | 201420302897.9 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN203950814U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 肖乾 | 申请（专利权）人： | 青岛矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市崂山区株洲路1*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及电子信息技术领域，特别涉及一种半导体二极管的新型结构，包括P型极、N型极和PN结，PN结设置在P型极和N型极之间；所述PN结由若干个凹形排和若干个凸形排组成，凹形排和凸形排相互间隔连接而成。在使用本实用新型时，通过将平面形的PN结变为多个弧形面的PN结，从而实现了通过增大PN结面积来提高了电流密度的目的。本实用新型具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二极管 新型 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体二极管的新型结构，包括P型极（1）、N型极（2）和PN结（3），PN结（3）设置在P型极（1）和N型极（2）之间；其特征在于：所述PN结（3）由若干个凹形排（3‑1）和若干个凸形排（3‑2）组成，凹形排和凸形排相互间隔连接而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛矽科微电子有限公司，未经青岛矽科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420302897.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双面刻线手工敷设叠层模板
- 下一篇：具滤光层的微型光学封装结构
- 同类专利
- 专利分类
